氩离子抛光技术/离子研磨CP（Cross section Polisher）用于SEM、EPMA、EBSD等样品的制备。依靠离子束轰击制备样品剖面，可以获得表面平滑的样品，观察范围大、清洁而且适用于几乎所有材料，而不会对样品造成机械损害。去除损伤层，从而得到高质量样品。而机械研磨抛光制备出来的样品表面粗糙不平、坑坑洼洼、划痕损伤多、界限不清。

相比较下氩离子抛光/CP截面抛光的优点：

（1）对由硬材料和软材料组成的复合材料样品, 能够很精细地制作软硬接合部的截面, 而使用传统方法制样是很困难的。

（2）比FIB方法的抛光面积更大（~1mm以上）

可以在室温或冷冻条件下，对任何材料实现高品质的表面处理，尽可能显示样品近自然状态下的内部结构。

1、送样前需要对样品进行预处理：样品预磨抛，样品要磨平，样品的上下表面要平行，样品抛光面至少用4000目砂纸磨平，在显微镜下看起来光滑，不粗糙。

2、粉末样品要求：500mg以上，体积1ml以上；

3. 截面制备样品要求：长宽厚小于20*20*10mm，如样品可剪裁可大一些；

4. 平面抛光样品要求：以待抛光区域为中心点，样品直径不超过25mm、厚度0~20mm，（超出部分需要磨平）；

5. 样品本身要求：无毒，无放射性，无污染，成分稳定不易挥发，易氧化吸水的需要真空保存，需要特殊位置切割的请附件说明，基于电镜分辨率限制，样品颗粒需要≥100nm才能观察。

1、氩离子抛光与传统机械抛光相比，核心优势是什么？

其核心优势在于无机械应力引入，能制备出无划痕、无变形的高质量样品表面。这对于观察纳米尺度的显微结构（如电池材料界面、半导体器件层）、软质材料（如聚合物、生物样品）以及避免磨料污染至关重要，是TEM和EBSD样品制备的终极手段。

2、为什么抛光后样品表面反而变得粗糙或有“浮雕感”？

这通常是由于样品中不同相的溅射速率差异导致。硬度高或原子序数大的相溅射速率慢，相对凸起；软或轻的相溅射快，相对凹陷。可通过降低入射角、减小离子能量或旋转样品台来最大限度地减轻这种“浮雕效应”。

3、如何判断需要冷台？

熔点较低，30-80℃容易变形、融化、收缩的样品需要冷台。(室温条件下常规切割，样品表面温度能达到50℃以上，并随着切割时间增加而增加)

4、粉末样品如何进行切割？

粉末是包埋后使用铝箔固定再进行切割，包埋剂有两种，分别是AB胶型环氧树脂（主要成分C）和银浆溶液（主要成分是Ag），一般样品成分原子序数较小(多数是碳)选用银浆溶液包埋，原子序数大的会选用AB胶型环氧树脂进行包埋，尤其需要元素分析的时候需要选择合适的包埋剂，尽量避免元素影响。

5、铝箔纸的作用？

固定样品和防止切割过程造成样品污染。铝箔纸不会对样品形貌和元素组成造成影响，图片拍摄和元素检测过程可以规避铝箔纸，也可以直接将铝箔纸揭下来。