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当前位置:高端测试 高端谱学 辉光放电光谱/质谱(GD-OES/MS)

辉光放电光谱/质谱(GD-OES/MS)

仪器型号
GD Profiler 2/Element GD
预约次数
100
服务周期
5个工作日
结果满意度
100%

项目简介

辉光放电光谱(GD-OES)是一种用于固体材料快速成分深度剖析的表征技术。其利用惰性气体(通常为氩)在低压下辉光放电产生的等离子体,通过溅射逐层剥离样品表面,并同时激发被剥离的原子,通过测量其特征光谱强度进行定性和定量分析。GD-OES的核心优势在于能同时测定从氢到铀的所有元素,并实现从纳米到微米级的深度分辨率,分析速度快、线性范围宽,广泛应用于金属、陶瓷及涂层材料的成分与镀层分析。

样品要求

1、样品尺寸:直径2cm左右,厚度0.5-2cm;粉末大于2g;

2、表面尽量光滑,GDOES 可以得到时间(S)-强度(V)曲线和深度(um)-百分含量(%)曲线; GDMS可半定量元素含量。

3、C、H、O元素不建议用该测试进行测量,如果需要,请提前联系项目经理沟通确认。

结果展示

常见问题

1GD-OES技术的核心原理是什么?

其核心原理包含两个过程:

溅射剥离:氩等离子体中的正离子被电场加速后轰击样品(阴极)表面,通过物理作用(动量转移)逐层剥离样品原子,形成平整的 crater(溅射坑)。

激发与探测:被剥离的原子扩散到等离子体中,与高能电子、氩离子等发生碰撞而被激发,退激时发射出元素特征波长的光。光谱仪同步探测这些光谱线的强度,从而实现元素的定性和定量分析。


2、什么是溅射速率?为什么它很重要?

溅射速率是指单位时间内样品被剥离的深度(如nm/s)。它是将分析时间轴转换为深度轴的关键参数。通过测量已知厚度的标准样品,可以建立溅射速率曲线,从而对未知样品的深度进行精确校准。溅射速率受放电参数(电压、电流、压力)和样品基体性质影响。

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